除盐系统出水二氧化硅（SiO₂）含量标准并非统一数值，而是根据系统工艺、最终用途（如锅炉补给水、电子超纯水）等因素综合确定。以常见的GB/T 50109-2014《工业用水软化除盐设计规范》为例，其限值要求大致如下：
▲常规一级除盐系统：出水SiO₂通常控制在 <100 μg/L。
▲带混床的深度除盐系统：出水SiO₂要求达到 <10 μg/L 级别。
为什么SiO₂是除盐系统的关键指标？
主要原因在于其两大“痛点”：
1、极易结垢：
在高温高压下，SiO₂易在锅炉、汽轮机等设备的受热面上形成致密的硅酸盐垢层。这层垢导热性差，会严重影响传热效率，甚至可能导致局部过热、爆管等严重事故。
2、难以去除：
常规的离子交换树脂对SiO₂的交换容量有限，尤其是在高pH值下，其去除效果会打折扣。因此，必须通过“深度除盐+终端精处理（如混床）”的组合工艺，才能将其降至极低水平。
根据GB/T 50109-2014规范，不同除盐工艺的SiO₂限值标准如下表：
工艺路线 | 出水 SiO₂ 限值 (μg/L) | 说明 |
|---|---|---|
一级除盐 | < 100 | 适用于对SiO₂要求不高的中低压锅炉或循环冷却水补充水。 |
一级除盐 → 混床 | < 10 | 高参数锅炉补给水、供热机组的典型要求。 |
两级除盐 | < 20 | 电导率可降至0.15 μS/cm以下，SiO₂要求更严。 |
两级除盐 → 混床 | < 10 | 接近高纯水水平，适用于高压及以上机组。 |
RO → 一级除盐 → 混床 | < 10 | 反渗透前置可减轻后续离子交换负荷，常用于中高参数机组。 |
两级RO → 电除盐(EDI) | < 10 | 半导体、电子行业超纯水系统的主流工艺之一。 |
蒸馏 → 一级除盐 → 混床 | < 10 | 适用于对水质纯度有极高要求的特殊场景。 |
核心规律：工艺链越长、越“高端”，SiO₂的控制限值就越严格，通常从 100 μg/L 级别降至 10 μg/L 级别。
如何精准监测SiO₂含量？
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★分辨率：0.01 μg/L
★基本误差：±1% FS
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以上就是关于除盐系统出水二氧化硅（SiO₂）含量标准的相关介绍，结合《GB/T 50109-2014 工业用水软化除盐设计规范》给出的不同工艺SiO₂限值，说明了硅酸根对锅炉和汽轮机安全与效率的关键影响，比较了一级除盐、混床、两级除盐、RO+EDI等工艺在脱硅能力上的差异，ERUN-SZ3-C5水质硅酸根在线分析仪在除盐系统出水中的核心作用，是对水中二氧化硅（硅酸根）进行连续、实时、微克级精度的在线监测，把原本滞后的人工化验变成“分钟级可视化数据”；它可以第一时间反映树脂交换能力下降、膜系统性能衰减或工况波动带来的SiO₂异常上升，及时发出预警，防止超标水进入锅炉和汽轮机，从而降低结垢与效率损失风险，同时为运行人员优化工艺参数、制定维护计划和保证出水长期稳定达标提供可靠的数据支撑。
